据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。
长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来，依然积极推进产能扩张计划，计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。
目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%，公司已经开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4-9070），该芯片通过堆叠两层实现总共294层。
长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，以及一款2TB的TLC X5-9080。
未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构，以提高每片晶圆的比特数，不过这可能会牺牲一些吞吐量。
为了减少对外国设备的依赖，长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。
分析师认为，如果试验成功，最终可能会使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%，但他们也提醒说，该设施是实验性的，大规模生产还需要时间。
TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。
文章来源：快科技
据报道，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。
长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来，依然积极推进产能扩张计划，计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。
目前，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%，公司已经开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4-9070），该芯片通过堆叠两层实现总共294层。
长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，以及一款2TB的TLC X5-9080。
未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构，以提高每片晶圆的比特数，不过这可能会牺牲一些吞吐量。
为了减少对外国设备的依赖，长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。
分析师认为，如果试验成功，最终可能会使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%，但他们也提醒说，该设施是实验性的，大规模生产还需要时间。
TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。
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